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NXP Semiconductors
PESDxS5UD series
Fivefold ESD protection diode arrays
220
C d
(pF)
180
140
006aaa700
80
C d
(pF)
60
40
006aaa701
(1)
(1)
100
60
(2)
20
0
(2)
(3)
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
V R (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3S5UD
(2) PESD5V0S5UD
Fig 5. Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
V R (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD12VS5UD
(2) PESD15VS5UD
(3) PESD24VS5UD
Fig 6. Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
I
10
I RM
I RM(25 ° C)
006aaa699
1
? V CL ? V BR ? V RWM
?
P-N
+
? I RM
? I R
V
10 ? 1
? 100
? 50
0
50
100
T j ( ° C)
150
? I PP
006aaa407
PESD3V3S5UD; PESD5V0S5UD
I R is less than 5 nA at 150 ° C for:
PESD12VS5UD; PESD15VS5UD; PESD24VS5UD
Fig 7.    Relative variation of reverse leakage current as
a function of junction temperature; typical
values
PESDXS5UD_SER_2
Fig 8. V-I characteristics for a unidirectional ESD
protection diode
? NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 7 December 2006
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